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韩企DRAM市占飙升,老三美光何处是出路

,双方俱是以 SRAM DRAM产品锤炼自家的10nm工艺,在良率提升到一定程度后再导入手机芯片等逻辑产品。台媒报道指台积电正加速推进其10nm工艺,去年10月即以7nm工艺生产出 SRAM产品,其希望今年三季度将10nm工艺导入逻辑产品。三星 台积电积极推进 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 青衫无名 浏览:122 回复:0

《嵌入式Linux与物联网软件开发——C语言内核深度解析》一1.3 位、字节、半字、字的概念和内存位宽

存,这里我们继续深入理解内存。从硬件角度,内存实际上是电脑的一个配件(一般叫内存条)。根据不同的硬件实现原理,还可以把内存分成 SRAM DRAMDRAM又有好多代,如最早的SDRAM,后来的DDR1、DDR2、LPDDR&hellip ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 异步社区 浏览:435 回复:0

兆易创新通过并购完善存储器业务版图

开始着手准备此次重组事项的问题;交易对方业绩承诺补偿的问题,以及关于交易标的方面的问题等。分析人士认为,收购北京矽成将帮助公司补全存储器版图,打造具有全球影响力的存储器业务。北京矽成的经营实体ISSI在 SRAM DRAM领域具有全球竞争力。2016年 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 知与谁同 浏览:133 回复:0
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【更正】ISCA2016:计算机体系结构顶会CNN走红,神经网络论文夺桂冠

重要性越来越高。除了继续研究基于传统的 SRAM DRAM的存储架构,新型存储技术,比如非易失性存储(Non-volatile Memory)的研究越来越受学术界 工业界的重视。这次大会57篇论文中,大约20篇都与Memory相关。华人研究员崛起 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 知与谁同 浏览:386 回复:0

替代闪存的存储新技术有哪些

有铁电性的材料取代原有的介电质,使得它也拥有像EEPROM一样的非易失性内存的优势,在没有电源的情况下可以保存数据,用于数据存储。FRAM具有高速、高密度、低功耗 抗辐射等优点。作为非易失性存储器,FRAM具有接近 SRAM DRAM等传统易失性 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 泡泡浅眠 浏览:100 回复:0

Gartner:2019年SSD和DRAM的价格将下崩

。但是,在2019年,价格将大幅下滑。同时,PC 移动设备的价格可能会受到影响。但是,Erensen表示,现在预测NAND DRAM价格下崩对PC 移动设备的确切影响为时尚早。如果价格下降,互联网用户可以在现成的时间内获取元件并在家中构建个人电脑 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 怡雨@27 浏览:131 回复:0

使用量子力学技术的新型超低功耗存储器或将取代DRAM和Flash

,虽然不同形式的传统(基于电荷)存储器非常适合应用于计算机 其他电子设备,静态随机存取存储器( SRAM),动态随机存取存储器( DRAM闪存(Flash)具有互补的特性,它们分别非常适合在高速缓存、动态存储器 数据存储中的发挥作用。然而,他们又都有自身的 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 雷锋网 浏览:81 回复:0

DRAM和NAND Flash齐涨 存储器模组厂喜迎旺季

苹果新机已正式上市,带动 DRAM、NAND Flash等价格同步走扬,中止近2年半来的价格跌势;存储器模组厂迎来产业环境好转,加上旺季及新产品上市,下半年获利将比上半年明显成长。苹果于第三季开始针对NAND Flash、mobile RAM进行备 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 晚来风急 浏览:113 回复:0

AliOS Things实现SRAM,并将heap移动SRAM上

AliOS Things实现 SRAM,并将heap移动 SRAM上1.通过cubemx生成 SRAM的初始化,这个应该没啥问题了,出现硬件错误啥的,就查这个哪个参数每设置对就对了2.修改LD链接文件,增加对应存储位置及大小2.1在LD文件中我还加了个如下 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 魂伤 浏览:15 回复:0

东芝/IBM/AMD共同开发全球最小SRAM单元

&&&东芝、IBM AMD三家公司今天共同宣布,他们已经使用High-K金属栅极材料,合作开发出了全球最小的 SRAM单元,基于FinFET鳍式场效应管结构,面积仅有0.128平方微米。在此之前,全球最小的 SRAM单元面积约 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: boxti 浏览:68 回复:0

【.Net Micro Framework PortingKit - 05】SRAM初始化&设置NVIC中断表偏移

null上篇《修改启动代码&重写向量表》文章中我们介绍了中断向量表的编写,这次我们编写 SRAM初始化代码,在《调试初步:点亮LED灯》文章中,我们提到了MDK脚本代码,其实这部分代码 MDK脚本代码实现类似的功能。&& ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 技术小美 浏览:9 回复:0

传DRAM调涨Q4 DRAM价格10%以上 爱普受惠

下半年进入智能手机销售旺季,苹果新款iPhone8Plus及iPhoneX均升级搭载3GBLPDDR4行动式 DRAM,加上Android阵营新款手机平均行动式 DRAM搭载量已达4GB以上,导致第四季行动式 DRAM供给吃紧。包括三星、SK海力士 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 晚来风急 浏览:76 回复:0

谁是DRAM货源短缺现状的最大受益者?当然是DRAM供应商

PC内存价格提升达30%,三星、SK海力士与美光表示感觉良好。&全球 DRAM货源短缺问题给众多PC、智能手机与服务器买家带来沉重打击。然而在另一方面,这样的现状却给各内存制造商带来了巨大的经济收益。根据Trendforce公司旗下 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 知与谁同 浏览:143 回复:0

[攻克存储] SRAM地址线的连接

芯片的引脚连接原理至关重要,由于Nand Flash的引脚连接比较简单,不涉及地址线的连接,而SDRAM DDR2访问原理与ROM SRAM有一些不同,故以后再专门讲述,这里我将主要介绍ARM与ROM、 SRAM这两种存储芯片的连接。& & ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 技术小阿哥 浏览:6 回复:0

SRAM初始化&设置NVIC中断表偏移

上篇《修改启动代码&重写向量表》文章中我们介绍了中断向量表的编写,这次我们编写 SRAM初始化代码,在《调试初步:点亮LED灯》文章中,我们提到了MDK脚本代码,其实这部分代码 MDK脚本代码实现类似的功能上篇《修改启动代码重写向量表》文章中我们 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 1760861456352085 浏览:47 回复:0

SRAM读写实验--读书笔记

该文章,为个人原创,只是自己对 SRAM读写实验的一点总结,附上我在ednchina上的博客链接http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3030256.HTM 该文章,为个人原创,只是自己对 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: bamboo1583 浏览:267 回复:0

《计算机存储与外设》----2.3 DRAM

大多数PC机 工作站使用 DRAM实现主存储器,它已经在高性能计算机的发展中起到关键作用,表现为其工作参数不断发展变化且出现新的变种。我认为 DRAM在不久的将来仍然是主流。本节首先描述 DRAM的工作原理,接着介绍它的时序,然后介绍 DRAM系列,最后描述 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 华章计算机 浏览:425 回复:0

3D XPoint——是NAND闪存杀手还是DRAM的替代品?

;是NAND闪存的千分之一, DRAM延迟的十倍,这尤其突显了其提供高IO操作(如事务数据所需的)的能力。该组合让3D XPoint填补了数据中心存储器体系——其中包括处理器上的 SRAMDRAM,NAND闪存(SSD),硬盘 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 知与谁同 浏览:190 回复:0

SK Hynix(海力士)即将量产10nm级DRAM闪存芯片

,三星电子在今年第二季度已经开始量产1xnm DRAM,如果SK Hynix(海力士)能在2017年第二季度实现1xnm DRAM的量产,它们之间的差距将缩减到1年。大家知道,半导体芯片产品在制造过程中分为工程样品(ES) 客户样品(CS)两种类型。工程 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: boxti 浏览:122 回复:0

窃取虚拟机上的敏感数据:基于JavaScript的DRAM攻击

研究生。两位研究人员描述了当前 DRAM设计上的安全问题,展示了一些实际的跨CPU攻击。该项研究的第一部分在8月份的25届USENIX安全研讨会上已被提出。2016黑帽欧洲大会上,福格 舒瓦茨展示了利用实体机Web浏览器中运行的JavaScript脚本 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 晚来风急 浏览:82 回复:0

三星苹果关系缓和:将为iPhone 6生产DRAM芯片

智能手机供应其20纳米的移动 DRAM存储芯片。此前,苹果iPhone 5 iPhone 5S手机所需的芯片由SK海力士 美光(32.88, -0.33, -0.99%)提供。   三星本月早些时候表示,已同意就美国以外的所有官司与苹果公司和解。因此 ...
来自: 开发者社区 > 论坛 作者: 北城战狂 浏览:258 回复:0

集邦咨询:美光围堵 无碍中国DRAM研发进程

近日,有媒体报道美国存储器大厂在中国台湾地区采取司法手段其防止技术遭遇泄露,目标是前华亚科及前瑞晶关键制程 研发人员,目前已有上百人遭到约谈。市场更是传出,美光这一行动已经波及联电与大陆厂商晋华的合作事宜,导致后者出资在联电台湾南科厂设置的试产线 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: boxti 浏览:127 回复:0

台湾厂商:大陆投资DRAM工厂可能破坏全球市场

最近一段时间来中国公司兴建存储芯片工厂的消息很多,除了国家队的清华紫光/长江存储斥资240亿美元在武汉、南京等地建厂之外,福建晋华投资集团在福建晋江投资370亿元建设存储工厂,日前合肥市投资494亿元的 DRAM工厂开始运转了。中国大陆这边动辄投资上百亿 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 知与谁同 浏览:141 回复:0

SK海力士:10nm级DRAM明年上半年投产

据韩国经济报导,SK海力士(SK Hynix)以21nm制程生产的 DRAM为目前获利性高的主力产品,2016年底生产比重将达全部 DRAM的40%;10nm级 DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 寒凝雪 浏览:133 回复:0

三星全球首家量产18nm DRAM

全球的 DRAM内存颗粒市场上,三星、SK海力士、美光已经呈现三分天下的架势,其中三星无论工艺、产能还是占有率都有绝对优势。2014年第一个量产20nm DRAM工艺之后,如今三星再次领跑,已经量产了18nm DRAM。据韩国媒体报道,三星去年已经将70 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 青衫无名 浏览:93 回复:0

转:智能手机Flash/DRAM选择、配置与价格大全

T4或T4(i) STE的新一代NovaThor等直接支持最新的LPDDR3D DRAM了,特别是高通,今年新平台全线向LPDDR3迁移。”尔必达技术市场经理王春生介绍。尔必达是目前手机PoP封装的 DRAM最大供应货,也是苹果iphone5的 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 文艺小青年 浏览:8 回复:0

英特尔傲腾持久内存延迟比DRAM差多少?

App Direct模式的话,CPU就完全把他认作主内存了。众所周知,傲腾是基于3D Xpoint介质的,3D Xpoint是英特尔跟美光联合研发的产物,在英特尔手里,傲腾被打造成介于低成本NAND 有易失性的 DRAM内存之间的方案。傲腾发布以来引起了 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 巴不巴 浏览:27 回复:0

传三星 DRAM 大扩产,存储器好日子无多?

87 亿美元),扩充韩国华城厂(Hwaseong)的 DRAM 产能。三星人员表示,新产线约需两年时间建造,将视研发进度 制程转换良率,决定生产 18 纳米制程 DRAM,或更先进制程的 DRAM。半导体市场变化快速,新厂生产商品常到落成时才拍板定 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: boxti 浏览:88 回复:0

成为准DRAM的小幻想? Supermicro推出增内存的双槽服务器

内存,无需更改硬件 应用程序。Memory1是一款DDR4 DIMM模块,配有128GB闪存 Diablo内存扩展软件(DMX)。DRAMDIMM与Memory1模块一起装在系统里,典型的闪存- DRAM比为8:1。X10DRU-i+双槽服务器名为 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 晚来风急 浏览:99 回复:0

成为准DRAM的小幻想? Supermicro推出增内存的双槽服务器

更改硬件 应用程序。Memory1是一款DDR4 DIMM模块,配有128GB闪存 Diablo内存扩展软件(DMX)。DRAMDIMM与Memory1模块一起装在系统里,典型的闪存- DRAM比为8:1。X10DRU-i+双槽服务器名为巨型孪生 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 寒凝雪 浏览:103 回复:0

DRAM、闪存需求量井喷!或将会加剧涨价!

指出, DRAM(浅色) FLASH (深色)在未来5年都会有3~6倍的需求增长。报道称,刺激上述需求的主要因素来自人工智能、物联网的持续部署,除了个人消费品,庞大的数据中心更是饥渴。当然,对于我们多数用户来说, 需要在意的是来自韩国 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 知与谁同 浏览:83 回复:0

DRAM大厂没有增产计划 内存将持续涨价

众所周知,从去年下半年开始,内存、闪存的缺货涨价势头开始上扬,2017年这一局面将继续扩散蔓延,而且一整年都未必会有改观。而据台湾经济日报报道,内存大厂金士顿近日表态,今年因为主要的 DRAM内存大厂都没有增产计划,全年 DRAM内存都面临缺货窘境 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 泡泡浅眠 浏览:122 回复:0

存储需求动能强劲,第四季DRAM合约价有望再涨逾一成

受到第三季进入旺季需求带动,存储器、面板等关键零部件皆终止长期价格颓势。TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 表示,内存在笔电需求回温、智能手机延续强劲成长态势与服务器需求增温带动下, DRAM 与 NAND Flash 第 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 晚来风急 浏览:151 回复:0

谁来买我们的DRAM?美光公司摸摸干瘪的口袋

。美光公司表示,截止于2015年12月3日的本季度营收"主要源自 DRAM平均销售价格下滑13%的拖累。非易失性存储产品营收在2016财年第一季度则出现2%的环比营收降低,这同样是由于同等出货量之下此类产品的平均售价降低了7%。" ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 行者武松 浏览:107 回复:0

DRAM存储器三星与海力士市占近九成 美光濒临淘汰

市调机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示,三星第一季豪取全球移动 DRAM逾六成市场(60.4%),不仅稳居全球龙头,也创下历史新高。尽管如此,受 DRAM平均报价下滑冲击,三星当季行动 DRAM营收不增反减 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 沉默术士 浏览:116 回复:0

VLT技术落地 推动DRAM产业格局改变

Cheng认为:“VLT技术是一项真正具有颠覆性的技术,运用它我们的被授权商能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的 DRAM产品,这些产品在功耗 成本上将具有显著优势,同时也免去了现有 DRAM制造流程中构建电容的困扰。&rdquo ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 晚来风急 浏览:98 回复:0

DRAM大厂不增产 2017年或面临缺货窘境

全球存储模组大厂金士顿预估,今年因为主要 DRAM大厂没有增产计划,全年 DRAM面临缺货窘境;群联董事长潘健成也强调,储存型快闪存储(NAND Flash)因为进入3D世代,制程良率无法提升,预估将缺货一整年。由于 DRAM NAND Flash是 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 泡泡浅眠 浏览:97 回复:0

DRAM战国时代 长江存储、联电、合肥长芯三大势力将对决

宁国操刀,大陆这三股 DRAM势力将决战2018年,抢当大陆 DRAM产业龙头。尽管大陆布局自制3D NAND Flash雏形渐现,长江存储将与已并购飞索(Spansion)的赛普拉斯(Cypress)合作,切入32层 64层3D NAND技术,由于 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: 寒凝雪 浏览:233 回复:0

DRAM价格飞涨 中国后起之秀有望借机而入

nullDRAM通常被认为是一种类似石油的商品。 大多数商品一样,产品需求具有弹性,这也就意味着价格提高会抑制需求,价格降低则会增加 创造新用途。纵观历史态势, DRAM市场是主要IC产品细分市场波动最大的部分。在过去2年,2016年 DRAM市场就下跌了8 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: gunser 浏览:28 回复:0

SK Hynix(海力士)即将量产10nm级DRAM闪存芯片

生产制造厂商。不过,三星电子在今年第二季度已经开始量产1xnm DRAM,如果SK Hynix(海力士)能在2017年第二季度实现1xnm DRAM的量产,它们之间的差距将缩减到1年。大家知道,半导体芯片产品在制造过程中分为工程样品(ES) 客户样品 ...
来自: 开发者社区 > 博客 作者: boxti 浏览:94 回复:0
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